Новое поколение полупроводников GaN из нитрида галлия сократит энергопотребление

Новое поколение полупроводников GaN из нитрида галлия сократит энергопотребление

1087
0
ПОДЕЛИТЬСЯ

США, 30 июля. Informus.ru – Анонсирована разработка Массачусетского Технологического Института (MIT) и Кембридж Электроникс Инк. (CEI) экзотического материала на основе нитрида галлия (GaN). По мнению ученых, этот материал, обладая более высоким, чем кремниевые, КПД, станет следующим поколением полупроводников для силовой электроники. Предположительно, к 2025 году новая разработка сократит энергопотребление во всем мире на 10-20 %.

GaN транзистор

Как сообщает ftimes.ru — Энергоэффективность GaN транзисторов основана на том, что они имеют одну десятую сопротивления кремниевых транзисторов. Также Кембридж Электроникс Инк. собирается на основе технологии этих транзисторов создать мини-адаптер с объемом 25 кубических сантиметров.

Новые транзисторы найдут применение и в силовой электронике для центров обработки данных Amazon, Google, Facebook и компаний, которые занимаются облачными хранилищами данных. Как сообщается, в настоящее время датацентры в США потребляют около 2 % электроэнергии.